Приоритетные области применения искусственного интеллекта в педагогическом образовании

Oʻzbekcha

MONOKRISTALL KREMNIYDA Mn VA Ni KIRISHMA ATOMLARI ELEKTROFIZIK XUSUSIYATLARINI SUN’IY INTELLEKT YORDAMIDA O‘QITISH

Дата публикации
25.04.2026
Журнал
Приоритетные области применения искусственного интеллекта в педагогическом образовании
Выпуск
Приоритетные области применения искусственного интеллекта в педагогическом образовании
Страницы
207-210
DOI
10.5281/zenodo.19828707

Авторы

Аннотация

Ushbu maqolada monokristall kremniyga marganes (Mn) va nikel (Ni) kirishma atomlarini kiritish natijasida yuzaga keladigan nuqsonlar hamda ularning elektrofizik xususiyatlarga ta’siri tahlil qilingan. Mn va Ni atomlarining kremniy panjarasiga ta’siri, vakansiyalar, interstitsial atomlar va fazaviy o‘zgarishlar hosil bo‘lishi nuqtai nazaridan solishtirilgan. Shuningdek, elektr o‘tkazuvchanlik, solishtirma qarshilik va zaryad tashuvchilar harakatchanligining o‘zgarish qonuniyatlari ko‘rib chiqilgan. Tadqiqotda sun’iy intellekt usullaridan foydalanib ushbu jarayonlarni modellashtirish va o‘qitish imkoniyatlari yoritilgan.

Ключевые слова

elektr o‘tkazuvchanlik modellashtirish sun’iy intellekt monokristall kremniy marganes nikel kirishma atomlar nuqsonlar solishtirma qarshilik zaryad tashuvchilar

Версии на других языках

Русский
В данной статье исследуются дефекты, возникающие в монокристаллическом кремнии при введении примесных атомов марганца (Mn) и никеля (Ni), а также их влияние на электрофизические свойства материала. Проведено сравнение воздействия Mn и Ni на кристаллическую решетку кремния с точки зрения образования вакансий, интерстициальных атомов и силицидных фаз. Рассмотрены изменения электрической проводимости, удельного сопротивления и подвижности носителей заряда. Особое внимание уделено применению методов искусственного интеллекта для моделирования и обучения данным процессам.
искусственный интеллект моделирование монокристаллический кремний марганец никель примесные атомы дефекты электрическая проводимость удельное сопротивление носители заряда
English
This paper investigates defects formed in monocrystalline silicon due to the introduction of manganese (Mn) and nickel (Ni) impurity atoms and their influence on the electrophysical properties of the material. The effects of Mn and Ni on the silicon crystal lattice are compared in terms of vacancy formation, interstitial atoms, and silicide phase formation. Changes in electrical conductivity, resistivity, and charge carrier mobility are analyzed. Special attention is given to the application of artificial intelligence methods for modeling and teaching these processes.
artificial intelligence electrical conductivity modeling monocrystalline silicon manganese nickel impurity atoms defects resistivity charge carriers

Список литературы

1. Sze, Physics of Semiconductor Devices (yarimoʻtkazgichlar fizikasi).
2. X.Akramov, S.Zaynobiddinov, A.Teshaboyev Yarimo‘tkazgichlarda fotoelektrik xodisalar,O‘zbekiston nashriyoti 1994, b.5-11
3. Osipov, A. V. et al. "Phase transformations in Ni/Si systems under thermal annealing" (Materials Science in Semiconductor Processing) 2015